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Metallisiertes Aluminiumnitrid-Substrat
Hochleistungsfähiges metallisiertes AlN-Keramiksubstrat für HV/HP-Geräte Hochleistungsfähiges metallisiertes AlN-Keramiksubstrat für HV/HP-Geräte

Hochleistungsfähiges metallisiertes AlN-Keramiksubstrat für HV/HP-Geräte

Das metallisierte Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat ist eine vielseitige Verpackungslösung für Hochspannungs- und Hochleistungsgeräte in Elektrofahrzeugen, im Schienenverkehr, in intelligenten Netzen und in der Luft- und Raumfahrt.
  • Art.-Nr. :

    CS-AIN-LJ1001
  • Material : Aluminum Nitride

  • Beschreibung

Eigenschaften von metallisiertem Aluminiumnitrid-Substrat


  1. Thermische Anpassung mit Siliziumchips:
    • Der Wärmeausdehnungskoeffizient unseres metallisierten Aluminiumnitrid-Keramiksubstrats entspricht nahezu dem von Siliziumchips. Dies gewährleistet eine hervorragende thermische Anpassung und macht eine Übergangsschicht überflüssig. Durch die Reduzierung der Material- und Verarbeitungskosten bietet unser Substrat eine äußerst zuverlässige Lösung für verpackte Komponenten, die den Anforderungen der modernen Elektronikfertigung in der EU und den USA entspricht.
  2. Hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hohe Stromkapazität:
    • Unser metallisiertes Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat zeichnet sich durch eine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und eine große Stromtragfähigkeit aus. Dies ermöglicht die Herstellung äußerst kompakter Chippakete, wodurch die Leistungsdichte deutlich erhöht wird. Durch diese Vorteile wird die Zuverlässigkeit von Systemen und Geräten erheblich verbessert, was sie zur idealen Wahl für Hochleistungsanwendungen macht, die von europäischen und amerikanischen Ingenieuren nachgefragt werden.



Anwendungen von metallisiertem Aluminiumnitrid-Substrat


  1. Vielseitige Verpackungslösung für Hochspannungs- und Hochleistungsgeräte:
    • Unser hochwertiges metallisiertes Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat ist speziell für den Einsatz als Verpackungssubstrat in einer Vielzahl von Hochspannungs- und Hochleistungsgeräten konzipiert. Dazu gehören Leistungsmodule, Hochfrequenz-Schaltnetzteile, Relais, Kommunikationsmodule und LED-Module, die den vielfältigen Anforderungen der Elektronikindustrie in Europa und den USA gerecht werden.
  2. Ideale Ergänzung für Halbleiter-SiC-Leistungsmodule der dritten Generation:
    • Unser Substrat eignet sich besonders gut für die Verpackung von Halbleiter-SiC-Leistungsmodulen der dritten Generation, die sich in Elektrofahrzeugen, im Schienenverkehr, in intelligenten Netzen, in der Luft- und Raumfahrt und in anderen hochmodernen Bereichen rasch durchsetzen. Diese Ausrichtung sorgt für optimierte Leistung und Zuverlässigkeit und macht es zur ersten Wahl für Entwickler und Hersteller in diesen wachstumsstarken Sektoren.
  3. Breite Branchenanwendungen:
    • Mit seinen außergewöhnlichen Eigenschaften wird unser metallisiertes Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat häufig in Bereichen eingesetzt, in denen Zuverlässigkeit, Effizienz und Haltbarkeit von größter Bedeutung sind. Von sauberen Energielösungen bis hin zu fortschrittlichen Kommunikationssystemen bietet unser Substrat eine robuste Plattform für Hochleistungselektronik, die den strengen Standards und Anforderungen der europäischen und amerikanischen Märkte entspricht.




Maßgeschneidertes Design von metallisiertem Aluminiumnitrid-Substrat

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