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Sintered silicon carbide are classify to refractory plates,reaction bonded SIC ceramic plates and rectrstallized SIC plates .Our rectrstallized SIC products have a high purity,while our reaction bonded and sintered silicon carbide plates have a high mechanical strength.
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Hexagon-Siliziumkarbid-Platten Keramik regelmäßige Hexagon Bullistic Plattenlänge 20-400 mm / Dicke 6-25 Reinheit 90% CustomizedSiliziumkarbid (SiC) ist ein leichtes Keramikmaterial mit hohen Festigkeitseigenschaften, die mit Diamant vergleichbar sind. Es ist ein ausgezeichnetes keramisches Rohmaterial für Anwendungen, die eine gute Erosions- und Abriebfestigkeit erfordern. -
Siliziumkarbidplatte | SiC-Platte zu verkaufenFeuerfeste Sic-Fischform-Setterplatten für Brennhilfsmittel Sic-Setter werden häufig für Ladestruktursysteme von Tunnelöfen, Herdwagenöfen und vielen anderen Industrieöfen verwendet. -
SiC-Wafer für MOSFETs, Schottky-Dioden und FotodiodenSiliziumkarbidwafer, ein Halbleitermaterial der neuen Generation, werden zur Herstellung von MOSFETs, Schottky-Dioden, Fotodioden und anderen elektronischen Geräten verwendet. -
Hochgeschwindigkeits-SOI-Wafer, Silizium-auf-Isolator mit geringem Stromverbrauch für ICs und MEMSSOI-Wafer, Silizium-auf-Isolator-Wafer, bei denen eine dünne Siliziumschicht auf einem isolierenden Substrat sitzt, ermöglichen einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb mit geringem Stromverbrauch, indem sie die Kapazität und den Leckstrom reduzieren und die Schaltgeschwindigkeiten erhöhen. Sie sind in der Mikroelektronik weit verbreitet und kommen in der Photonik und MEMS. -
Kugelsichere SiC-Keramikplatte der Stufe NIJ IV für Panzerauskleidung und SchutzabschirmungDie kugelsichere Platte aus SiC-Keramik zeichnet sich durch eine hohe Härte (HV2600+) und Schutz auf NIJ IV-Niveau aus und ist ideal für Körperpanzerungen sowie Fahrzeug-, Flugzeug- und Schiffspanzerungen. -
Leitfähige und halbisolierende Typen mit Hochleistungs-SiC-KeramiksubstratSiC-Substrat, Grundmaterial für Halbleiterchips, in leitender und halbisolierender Ausführung, unterstützt Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen, erhältlich in Durchmessern von 2–8 Zoll (50–200 mm). -
Hochreines SiC-Tray für Halbleiter-RTA-PVD-ICP-CMP-ProzesseDie hochreine Siliziumkarbidschale, die durch Sintern geformt wird, dient als langlebiges Trägergerät in Halbleiterherstellungsprozessen wie RTA, PVD, ICP und CMP.
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