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SiC-Keramiksubstrat
Leitfähige und halbisolierende Typen mit Hochleistungs-SiC-Keramiksubstrat Leitfähige und halbisolierende Typen mit Hochleistungs-SiC-Keramiksubstrat

Leitfähige und halbisolierende Typen mit Hochleistungs-SiC-Keramiksubstrat

SiC-Substrat, Grundmaterial für Halbleiterchips, in leitender und halbisolierender Ausführung, unterstützt Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen, erhältlich in Durchmessern von 2–8 Zoll (50–200 mm).
  • Art.-Nr. :

    CS-SIC-CD001
  • Material : SiC

  • Beschreibung

Eigenschaften von SiC Siliziumkarbidsubstrat


  1. Hochtemperaturstabilität: Das SiC-Substrat behält eine ausgezeichnete Stabilität bei hohen Temperaturen mit minimaler Gitterverformung bei und verhindert so eine Ausdehnung oder ein thermisches Durchgehen.
  2. Chemische Beständigkeit: Das SiC-Substrat verfügt über eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit und widersteht sauren und alkalischen Umgebungen, wodurch eine langfristige chemische Stabilität gewährleistet wird.
  3. Mechanische Haltbarkeit: Das SiC-Substrat zeichnet sich durch eine hohe mechanische Festigkeit, Härte und Verschleißfestigkeit aus, mit einem großen Elastizitätsmodul und einem hohen Elastizitätsmodul, wodurch Verformungen verhindert werden.



Anwendungen von SiC Siliziumkarbidsubstrat


  1. Hochleistungsgeräte: Die hohe Wärmeleitfähigkeit, die hohe elektrische Feldstärke beim Durchbruch und der geringe Energieverlust machen SiC ideal für Leistungsmodule und Antriebsmodule.
  2. HF-Elektronik: Die Leitfähigkeit von SiC unterstützt den Hochfrequenzbetrieb und eignet sich für HF-Leistungsverstärker, Mikrowellengeräte und Hochfrequenzschalter.
  3. Photoelektronik: Die große Energielücke und die hohe thermische Stabilität von SiC eignen sich perfekt für Fotodioden, Solarzellen und Laserdioden.
  4. Temperatursensoren: Die Wärmeleitfähigkeit und Stabilität von SiC machen es ideal für hochpräzise Temperatursensoren mit großem Bereich.




Größentabelle des SiC-Siliziumkarbid-Substrats

Bitte geben Sie Zeichnungs- und Parameteranforderungen für die Anpassung an.


SiC-Substratquadrat
Artikel-Nr. LÃW
(mm)
Dicke
(mm)
CS-SIC-CD001 10*3 0,5/1,0
CS-SIC-CD002 10*5 0,5/1,0
CS-SIC-CD003 10*10 0,5/1,0
CS-SIC-CD004 15*15 0,5/1,0
CS-SIC-CD005 20*15 0,5/1,0
CS-SIC-CD006 20*20 0,5/1,0


SiC-Substrat rund
Artikel-Nr. Durchmesser
(Zoll)
Dicke
(mm)
CS-SIC-CD101 2 2
CS-SIC-CD102 3 3
CS-SIC-CD103 4 4
CS-SIC-CD104 6 2
CS-SIC-CD105 8 3



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