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SiC-Wafer für MOSFETs, Schottky-Dioden und Fotodioden

Siliziumkarbidwafer, ein Halbleitermaterial der neuen Generation, werden zur Herstellung von MOSFETs, Schottky-Dioden, Fotodioden und anderen elektronischen Geräten verwendet.

Art.-Nr. :
CS-SIC-JP001N
Material : SiC

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Beschreibung

Eigenschaften von SiC Siliziumkarbid-Wafern

Geringer Energieverlust: Unsere elektronischen Komponenten auf Siliziumkarbidbasis zeichnen sich durch deutlich geringere Schalt- und Ein-Aus-Verluste im Vergleich zu herkömmlichen IGBT-Modulen aus. Mit zunehmender Schaltfrequenz wird der Verlustunterschied noch deutlicher.
Kompaktes Design: Elektronische Komponenten aus Siliziumkarbid sind kleiner als ihre auf Silizium basierenden Gegenstücke derselben Spezifikation und bieten weniger Energieverlust und eine höhere Stromdichte.
Hochfrequenzschaltung: Siliziumkarbidmaterial weist eine elektronische Sättigungsdriftrate auf, die doppelt so hoch ist wie die von Silizium, wodurch die Betriebsfrequenz der Komponenten erhöht wird.
Hohe Temperaturbeständigkeit und hervorragende Wärmeableitung: Mit einer Bandlückenbreite und Wärmeleitfähigkeit, die etwa dreimal so groß ist wie die von Silizium, kann Siliziumkarbid höheren Temperaturen standhalten und erzeugte Wärme leichter abgeben.

Anwendungen von SiC Siliziumkarbid-Wafern

Hochleistungsgeräte (leitender Typ): Ideal für die Herstellung von Hochleistungsgeräten wie Leistungsmodulen und Antriebsmodulen aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit, der hohen elektrischen Feldstärke beim Durchbruch und des geringen Energieverlusts.
Elektronische HF-Geräte (halbisolierender Typ): Erfüllt die Anforderungen des Hochfrequenzbetriebs, geeignet für HF-Leistungsverstärker, Mikrowellengeräte und Hochfrequenzschalter.
Fotoelektronische Geräte (halbisolierender Typ): Mit einer großen Energielücke und hoher thermischer Stabilität, perfekt für Fotodioden, Solarzellen und Laserdioden.
Temperatursensor (leitender Typ): Verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und Stabilität und eignet sich daher ideal für die Herstellung von Temperatursensoren mit großem Arbeitsbereich und hoher Präzision.

Größentabelle des SiC-Siliziumkarbid-Wafers

Bitte geben Sie Zeichnungs- und Parameteranforderungen für die Anpassung an.

Siliziumkarbid-Wafer leitfähig
Artikel-Nr.	Durchmesser (Zoll)	Dicke (mm)
CS-SIC-JP001N	2	0,35
CS-SIC-JP002N	3	0,35
CS-SIC-JP003N	4	0,35
CS-SIC-JP004N	6	0,35
CS-SIC-JP005N	2	0,5
CS-SIC-JP006N	3	0,5
CS-SIC-JP007N	4	0,5
CS-SIC-JP008N	6	0,5

SiC-Substrat rund
Artikel-Nr.	Durchmesser (Zoll)	Dicke (mm)
CS-SIC-CD101	2	2
CS-SIC-CD102	3	3
CS-SIC-CD103	4	4
CS-SIC-CD104	6	2
CS-SIC-CD105	8	3

Tags : SiC-Wafer Siliziumkarbid-Halbleiter SiC-Halbleitermaterial MOSFET-SiC-Wafer Schottky-Dioden-SiC-Substrat

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Betreff :
SiC-Wafer für MOSFETs, Schottky-Dioden und Fotodioden CS-SIC-JP001N

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