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Leitfähige und halbisolierende Typen mit Hochleistungs-SiC-KeramiksubstratSiC-Substrat, Grundmaterial für Halbleiterchips, in leitender und halbisolierender Ausführung, unterstützt Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen, erhältlich in Durchmessern von 2–8 Zoll (50–200 mm).
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SiC-Wafer für MOSFETs, Schottky-Dioden und FotodiodenSiliziumkarbidwafer, ein Halbleitermaterial der neuen Generation, werden zur Herstellung von MOSFETs, Schottky-Dioden, Fotodioden und anderen elektronischen Geräten verwendet.
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SiC-Wafer-Trägerboot für die Handhabung von Halbleiter- und Solarzellen-DiffusionsöfenDas SiC-Waferboot ist für den Transport von Wafern in Diffusionsöfen für die Beschichtungsbehandlung in der Halbleiter- und Photovoltaikproduktion unerlässlich.
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SiC-Wafer-Trägerhalterungs-Diffusionsofen-Werkzeug für Halbleiter und SolarzellenDie SiC-Bootshalterung ist entscheidend für den Transport von Wafern in Diffusionsöfen zur Beschichtung in der Halbleiter- und PV-Produktion.