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SiC-Wafer-Trägerboot
SiC-Wafer-Trägerboot für die Handhabung von Halbleiter- und Solarzellen-Diffusionsöfen SiC-Wafer-Trägerboot für die Handhabung von Halbleiter- und Solarzellen-Diffusionsöfen

SiC-Wafer-Trägerboot für die Handhabung von Halbleiter- und Solarzellen-Diffusionsöfen

Das SiC-Waferboot ist für den Transport von Wafern in Diffusionsöfen für die Beschichtungsbehandlung in der Halbleiter- und Photovoltaikproduktion unerlässlich.
  • Art.-Nr. :

    CS-SIC-J1001
  • Material : SiC

  • Beschreibung

Eigenschaften von Siliziumkarbid Wafer-Trägerboot



  1. Hochtemperaturbeständigkeit: Unser SiC-Wafer-Boot hält Temperaturen von bis zu 1600 °C stand und verfügt über eine ausgezeichnete Thermoschockbeständigkeit, was eine Lebensdauer von mehr als 5 Jahren gewährleistet.

  2. Hohe Reinheit und frei von Verunreinigungen: Hergestellt aus hochreinem SiC, vermeidet es die Einführung von Verunreinigungen, reduziert die Verschmutzung der Ausrüstung und verbessert die Produktqualität.

  3. Leicht und langlebig: Durch die leichte Bauweise mit hoher Biegefestigkeit und Hochtemperaturbelastbarkeit minimiert es die Größe des Beladesystems für eine höhere Einzelproduktionsleistung.

  4. Thermische Stabilität und Wartungsfreiheit: Mit einem minimalen Wärmeausdehnungskoeffizienten ähnlich wie bei LPCVD-Beschichtungen verlängert es die Wartungs- und Reinigungszyklen bei Verwendung in LPCVD-Anwendungen erheblich.




Anwendungen von Siliziumkarbid Wafer-Trägerboot


Ideal für Photovoltaikzellen und Halbleiterwaferherstellung, zeichnet sich unser SiC-Waferboot durch den Transport von Solarsiliziumwafern und Halbleiterwafern in Diffusionsöfen bei Temperaturen zwischen 1000 und 1300 °C aus.


Maßgeschneidertes Design für SiC-Wafer-Trägerboot

Bitte geben Sie Zeichnungs- und Parameteranforderungen für die Anpassung an.



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