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Siliziumkarbid-Tablett
Hochreines SiC-Tray für Halbleiter-RTA-PVD-ICP-CMP-Prozesse Hochreines SiC-Tray für Halbleiter-RTA-PVD-ICP-CMP-Prozesse

Hochreines SiC-Tray für Halbleiter-RTA-PVD-ICP-CMP-Prozesse

Die hochreine Siliziumkarbidschale, die durch Sintern geformt wird, dient als langlebiges Trägergerät in Halbleiterherstellungsprozessen wie RTA, PVD, ICP und CMP.
  • Art.-Nr. :

    CS-THG-CZ1001
  • Material : SiC

  • Beschreibung

Eigenschaften von SiC Siliziumkarbidschale


  1. Hervorragendes Wärmemanagement:
    • Das SiC-Tray verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und sorgt so für eine effiziente Wärmeübertragung während des Halbleiterherstellungsprozesses.
    • Mit einem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten behält es seine Dimensionsstabilität bei und verringert das Risiko von Verformungen oder Rissen unter thermischer Belastung.
    • Es weist eine hervorragende Thermoschockbeständigkeit auf, sodass es schnelle Temperaturschwankungen ohne Schaden überstehen kann.
  2. Hohe Temperatur- und Plasmabeständigkeit:
    • Das SiC-Tray wurde für extreme Temperaturbeständigkeit entwickelt und hält den hohen Temperaturen stand, die in Halbleiterverarbeitungsumgebungen auftreten.
    • Seine Plasmaschlagfestigkeit macht es ideal für Anwendungen mit Plasmaätzen oder anderen plasmabasierten Prozessen und gewährleistet Langlebigkeit und Zuverlässigkeit.
  3. Chemische Beständigkeit:
    • Das Tablett ist beständig gegen eine Vielzahl starker Säuren, Laugen und chemischer Reagenzien und bietet robusten Schutz gegen korrosive Materialien, die üblicherweise in der Halbleiterfertigung verwendet werden.
    • Diese chemische Inertheit gewährleistet eine konstante Leistung und eine längere Lebensdauer und reduziert die Notwendigkeit eines häufigen Austauschs.
  4. Außergewöhnliche mechanische Eigenschaften:
    • Das SiC-Tray zeichnet sich durch hohe Härte und hohe Festigkeit aus und bietet außergewöhnliche Haltbarkeit und Tragfähigkeit.
    • Seine gute Verschleißfestigkeit stellt sicher, dass die Schale im Laufe der Zeit eine glatte, präzise Oberfläche beibehält, wodurch das Risiko einer Partikelkontamination in sensiblen Herstellungsprozessen minimiert wird.


Anwendungen von SiC Siliziumkarbid-Tray



  • Das SiC-Tray dient als wichtige Trageplatte in den Herstellungsprozessen von Halbleitern, einschließlich LED-Produktion. Seine einzigartige Kombination aus thermischen, chemischen und mechanischen Eigenschaften macht es zu einer unverzichtbaren Komponente für die Gewährleistung der Präzision, Zuverlässigkeit und Effizienz moderner Halbleiterfertigungsprozesse.




Größentabelle der SiC-Siliziumkarbid-Schale

Bitte geben Sie Zeichnungs- und Parameteranforderungen für die Anpassung an.


Siliziumkarbid-Tablett SiC-PVD-Tablett
Artikel-Nr. Durchmesser
(mm)
Dicke
(mm)
SiC-Reinheit
(%)
CS-THG-CZ1001 230 3 99
CS-THG-CZ1002 300 1,4 99
CS-THG-CZ1003 300 3 99
CS-THG-CZ1004 330 1,4 99
CS-THG-CZ1005 330 3 99


Siliziumkarbid-Tray SiC ICP-Tray
Artikel-Nr. Durchmesser
(mm)
Dicke
(mm)
SiC-Reinheit
(%)
CS-THG-CZ2001 300 3 99
CS-THG-CZ2002 300 4.4 99
CS-THG-CZ2003 330 4.4 99
CS-THG-CZ2004 330 3 99
CS-THG-CZ2005 380 4.4 99
CS-THG-CZ2006 380 3 99


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