AMB metallisiertes Si3N4-Keramiksubstrat für die Verpackung von Hochleistungsgeräten

Eigenschaften von metallisiertem Siliziumnitrid-Substrat

1. Ausgezeichnete thermische Anpassung:
   • Der Wärmeausdehnungskoeffizient unseres AMB-Siliziumnitrid-Substrats ist eng an den von Siliziumchips angelehnt und gewährleistet so eine hervorragende thermische Anpassung. Diese Funktion macht eine Übergangsschicht überflüssig und reduziert dadurch die Material- und Verarbeitungskosten erheblich. Durch dieses effiziente Wärmemanagement wird die Zuverlässigkeit der verpackten Komponenten erhöht und passt perfekt zu den Anforderungen an die Haltbarkeit in Hochleistungsanwendungen.
2. Hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hohe Strombelastbarkeit:
   • Das AMB-Siliziumnitrid-Substrat zeichnet sich durch eine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und eine erhebliche Stromtragfähigkeit aus. Diese Kombination ermöglicht die Herstellung äußerst kompakter Chippakete und erhöht die Leistungsdichte erheblich. Darüber hinaus tragen die verbesserte Wärmeableitung und elektrische Leistung zu einer verbesserten System- und Gerätezuverlässigkeit bei, was es zur idealen Wahl für hochmoderne elektronische Geräte macht, die auf dem europäischen und nordamerikanischen Markt gefragt sind.

Anwendungenn von metallisiertem Siliziumnitridsubstrat

1. Vielseitige Anwendung in Hochspannungs- und Hochleistungsgeräten:
   • Das AMB-Siliziumnitrid-Substrat ist ein vielseitiges Verpackungssubstrat, das auf Hochspannungs- und Hochleistungsgeräte zugeschnitten ist. Es dient als Grundlage für verschiedene Komponenten, darunter Leistungsmodule, Hochfrequenz-Schaltnetzteile, Relais, Kommunikationsmodule und LED-Module. Diese breite Anwendbarkeit stellt sicher, dass es den vielfältigen Anforderungen moderner elektronischer und elektrischer Systeme gerecht wird.
2. Ideale Kombination mit Halbleiter-SiC-Leistungsmodulen der dritten Generation:
   • Unser AMB-Siliziumnitrid-Substrat eignet sich besonders gut für die Verpackung von Halbleiter-SiC-Leistungsmodulen der dritten Generation. SiC-Leistungsmodule (Siliziumkarbid) sind für ihre außergewöhnliche Leistung in Hochspannungs- und Hochtemperaturumgebungen bekannt und eignen sich daher ideal für Anwendungen in Elektrofahrzeugen, im Schienenverkehr, in intelligenten Netzen, in der Luft- und Raumfahrt und in anderen hochmodernen Bereichen. Durch die Kombination mit SiC-Leistungsmodulen verbessert das AMB-Siliziumnitrid-Substrat die Effizienz, Zuverlässigkeit und Haltbarkeit dieser kritischen Komponenten weiter und entspricht perfekt den strengen Standards der europäischen und nordamerikanischen Märkte.

Größentabelle des metallisierten Siliziumnitridsubstrats

Bitte geben Sie Zeichnungs- und Parameteranforderungen an.