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Siliziumnitrid-Halbleitersubstrat
Hochreines Si3N4-Keramik-Halbleitersubstrat für Leistungsgeräte und ICs Hochreines Si3N4-Keramik-Halbleitersubstrat für Leistungsgeräte und ICs

Hochreines Si3N4-Keramik-Halbleitersubstrat für Leistungsgeräte und ICs

Das Si3N4-Keramiksubstrat, ein Halbleitermaterial der neuen Generation aus hochreinem Pulver, wird häufig in Leistungskomponenten, Wechselrichtern, Modulen und ICs für mehrere Geräte verwendet.
  • Art.-Nr. :

    CS-DHG-JB001
  • Material : Si3N4

  • Beschreibung

Eigenschaften des Si3N4-Keramiksubstrats


  1. Außergewöhnliche Hochtemperaturbeständigkeit: Das Siliziumnitrid-Substrat verfügt über eine beeindruckende maximale Einsatztemperatur von bis zu 1300 °C und ist somit ideal für Anwendungen, die extreme thermische Stabilität erfordern.

  2. Überlegene Wärmeleitfähigkeit und geringe Wärmeausdehnung: Mit einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 95 W/(âm) und einem minimalen Wärmeausdehnungskoeffizienten von nur 310-6/â Dieses Substrat weist eine außergewöhnliche Temperaturwechselbeständigkeit auf und gewährleistet Stabilität und Haltbarkeit in Umgebungen mit Temperaturschwankungen.

  3. Robuste mechanische Festigkeit und Schlagfestigkeit: Das Siliziumnitrid-Substrat zeichnet sich durch hohe mechanische Festigkeit und bemerkenswerte Zähigkeit aus und hält starken mechanischen Stößen stand, ohne die Leistung zu beeinträchtigen, und gewährleistet so Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Anwendungen.

  4. Ausgezeichnete elektrische Isolationseigenschaften: Dieses Substrat zeichnet sich durch eine hervorragende elektrische Isolierung, eine hohe Durchbruchspannung und eine erhebliche Strombelastbarkeit aus und ist eine optimale Wahl für elektrische und elektronische Komponenten, die eine hervorragende Durchschlagsfestigkeit erfordern.

  5. Hervorragende chemische Beständigkeit: Das Siliziumnitrid-Substrat ist beständig gegen Erosion durch eine Vielzahl von Säuren, Laugen und anderen chemischen Substanzen und weist eine außergewöhnliche Korrosionsbeständigkeit auf, wodurch es für raue und aggressive chemische Umgebungen geeignet ist.


Anwendungen von Si3N4-Keramiksubstrat


  1. Anwendungen in der Elektronikindustrie

    • Hochzuverlässige Komponenten: Das Si3N4-Keramiksubstrat zeichnet sich durch eine hohe Isolationsleistung und eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit aus und eignet sich daher ideal für die Herstellung elektronischer Komponenten wie Kondensatoren, Widerstände und magnetische Komponenten, die eine hohe Zuverlässigkeit und Leistung erfordern.
    • Hochgeschwindigkeitskommunikation: Aufgrund seiner Fähigkeit, hohen Temperaturen standzuhalten und stabile elektrische Eigenschaften beizubehalten, eignet es sich für den Einsatz in der Mittelschicht von Hochgeschwindigkeitskommunikationsgeräten und gewährleistet eine reibungslose und stabile Übertragung von Hochfrequenzsignalen.
  2. Photoelektrische Industrie

    • Hochleistungs-LEDs: Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit und mechanische Festigkeit des Si3N4-Keramiksubstrats sind entscheidend für die Herstellung von Hochleistungs-LEDs und gewährleisten deren Stabilität und Langlebigkeit.
    • Solarmodule: Dieses Substrat kann auch als Trägermaterial für Solarmodule verwendet werden, wodurch deren mechanische Festigkeit und chemische Beständigkeit erhöht und so deren Lebensdauer und Effizienz verlängert werden.
  3. Elektroindustrie

    • Hochleistungselektrokomponenten: Die Kombination aus hervorragender Isolierung, Wärmeableitung und mechanischer Festigkeit des Si3N4-Keramiksubstrats macht es perfekt für die Herstellung verschiedener elektrischer Hochleistungskomponenten wie Leistungsmodule und Heizmodule. Diese Komponenten wiederum gewährleisten die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit des gesamten elektrischen Systems.


Größentabelle von Si3N4-Keramiksubstrat

Bitte geben Sie Zeichnungs- und Parameteranforderungen für die Anpassung an.


Si3N4 Substrat quadratisch und rechteckig
Artikelnr. Länge
(mm)
Breite
(mm)
Dicke
(mm)
CS-DHG-JB001 10 10 0,32
CS-DHG-JB002 20 20 0,32
CS-DHG-JB003 30 30 4.0
CS-DHG-JB004 40 40 0,5
CS-DHG-JB005 50 50 0,32
CS-DHG-JB006 50 50 0,635
CS-DHG-JB007 50 50 1.0
CS-DHG-JB008 50 50 2.0
CS-DHG-JB009 50 50 4.0
CS-DHG-JB010 50 50 9.0
CS-DHG-JB011 100 100 0,3
CS-DHG-JB012 100 100 0,5
CS-DHG-JB013 100 100 0,6
CS-DHG-JB014 100 100 1.0
CS-DHG-JB015 100 100 4.0
CS-DHG-JB016 100 100 9.0
CS-DHG-JB017 114 114 0,3
CS-DHG-JB018 114 114 0,5
CS-DHG-JB019 114 114 0,6
CS-DHG-JB020 114 114 1.0
CS-DHG-JB021 190 138 0,3
CS-DHG-JB022 190 138 0,5
CS-DHG-JB023 190 138 0,6
CS-DHG-JB024 190 138 1.0


Si3N4 Substrat rund
Artikelnr. Durchmesser
(mm)
Dicke
(mm)
CS-DHG-JB025 5 0,25
CS-DHG-JB026 5 0,32
CS-DHG-JB027 5 0,625
CS-DHG-JB028 5 1
CS-DHG-JB029 10 0,25
CS-DHG-JB030 10 0,32
CS-DHG-JB031 10 0,625
CS-DHG-JB032 10 1
CS-DHG-JB033 20 0,25
CS-DHG-JB034 20 0,32
CS-DHG-JB035 20 0,625
CS-DHG-JB036 20 1
CS-DHG-JB037 40 0,25
CS-DHG-JB038 40 0,32
CS-DHG-JB039 40 0,625
CS-DHG-JB040 40 1
CS-DHG-JB041 50 0,25
CS-DHG-JB042 50 0,32
CS-DHG-JB043 50 0,625
CS-DHG-JB044 50 1
CS-DHG-JB045 100 0,32
CS-DHG-JB046 100 1
CS-DHG-JB047 100 2
CS-DHG-JB048 150 0,32
CS-DHG-JB049 150 1
CS-DHG-JB050 150 2
CS-DHG-JB051 150 20




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