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Saphirsubstrat-C-Plane-Wafer für die III-V-Nitrid-Epitaxie in der Halbleiterchip-HerstellungDas Saphirsubstrat ist beständig gegen hohe Temperaturen und Korrosion und weist eine geringe Gitterfehlanpassung auf. Es eignet sich ideal für III-V-Nitrid-Epitaxiewafer wie GaN bei der Herstellung von Halbleiterchips.