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Leitfähige und halbisolierende Typen mit Hochleistungs-SiC-KeramiksubstratSiC-Substrat, Grundmaterial für Halbleiterchips, in leitender und halbisolierender Ausführung, unterstützt Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen, erhältlich in Durchmessern von 2–8 Zoll (50–200 mm).